UTE C96-090-1989
Электронные компоненты. Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы. Часть 8. Типовая форма частных технических условий для полевых транзисторов с одним затвором мощностью до 5 Вт и частотой 1 Гц
Статус: Дата введения в действие:
Обозначение | UTE C96-090-1989 |
---|---|
Заглавие на русском языке | Электронные компоненты. Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы. Часть 8. Типовая форма частных технических условий для полевых транзисторов с одним затвором мощностью до 5 Вт и частотой 1 Гц |
Заглавие на английском языке | Electronic components. Semiconductor devices. Discrete devices. Part 8 : field-effect transistors. Section one : blank detail specification for single- gate field-effect transistors, up to 5W and 1 GHz. |
МКС | 31.080.30 |