UTE C96-085-1989
Электронные компоненты. Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы. Часть 7. Биполярные транзисторы. Раздел 1. Типовая форма частных технических условий на биполярные транзисторы для низкочастотного и высокочастотного усиления, рассчитанные на температуру окружающей среды
Статус: Дата введения в действие:
| Обозначение | UTE C96-085-1989 |
|---|---|
| Заглавие на русском языке | Электронные компоненты. Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы. Часть 7. Биполярные транзисторы. Раздел 1. Типовая форма частных технических условий на биполярные транзисторы для низкочастотного и высокочастотного усиления, рассчитанные на температуру окружающей среды |
| Заглавие на английском языке | Electronic components. Semiconductor devices. Discrete devices. Part 7 : bipolar transistors. Section one : blank detail specification for ambient-rated bipolar transistors for low and high-frequency amplification. |
| МКС | 31.080.30 |