OEVE/OENORM EN 60749-19:2011
Приборы полупроводниковые. Методы механических и климатических испытаний. Часть 19. Прочность кристалла на сдвиг
Статус: Действует Дата введения в действие:
Обозначение | OEVE/OENORM EN 60749-19:2011 |
---|---|
Заглавие на русском языке | Приборы полупроводниковые. Методы механических и климатических испытаний. Часть 19. Прочность кристалла на сдвиг |
Заглавие на английском языке | Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 19: Die shear strength (IEC 60749-19:2003 + A1:2010) (german version) |
МКС | 31.080.01 |
Вид стандарта | ST |
Обозначение заменяемого(ых) | OEVE/OENORM EN 60749-19/A1 (2009-10-01) |
Язык оригинала | немецкий |
Количество страниц оригинала | 9 |
Статус | Действует |