OEVE/OENORM EN 60749-19:2011
Приборы полупроводниковые. Методы механических и климатических испытаний. Часть 19. Прочность кристалла на сдвиг
Статус: Действует Дата введения в действие:
| Обозначение | OEVE/OENORM EN 60749-19:2011 |
|---|---|
| Заглавие на русском языке | Приборы полупроводниковые. Методы механических и климатических испытаний. Часть 19. Прочность кристалла на сдвиг |
| Заглавие на английском языке | Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 19: Die shear strength (IEC 60749-19:2003 + A1:2010) (german version) |
| МКС | 31.080.01 |
| Вид стандарта | ST |
| Обозначение заменяемого(ых) | OEVE/OENORM EN 60749-19/A1 (2009-10-01) |
| Язык оригинала | немецкий |
| Количество страниц оригинала | 9 |
| Статус | Действует |