BS IEC 63068-2:2019
Статус: Дата введения в действие:
| Обозначение | BS IEC 63068-2:2019 |
|---|---|
| Заглавие на английском языке | Semiconductor devices. Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices. Test method for defects using optical inspection |
| Количество страниц оригинала | 28 |