BS IEC 63068-1:2019
Статус: Дата введения в действие:
| Обозначение | BS IEC 63068-1:2019 |
|---|---|
| Заглавие на английском языке | Semiconductor devices. Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices. Classification of defects |
| Количество страниц оригинала | 26 |