Каталог DIN — национальные стандарты Германии
найдено документов: 131 страниц: 7
DIN 50441-5-2001
Пластины полупроводниковые. Определение геометрических размеров.Часть 5. Термины, касающиеся отклонения от формы и плоскостностиTesting of materials for semiconductor technology - Determination of the geometric dimensions of semiconductor wafers - Part 5: Terms of shape and flatness deviation
Количество страниц: 11 Статус:
DIN 50442-1-1981
Пластины полупроводниковые монокристаллические, распиленные и подвергнутые доводке. Определение структуры поверхностиTesting of semi-conductive inorganic materials; determination of the surface structure of circular monocrystalline semi-conductive slices; as-cut and lapped slices
Количество страниц: 3 Статус:
DIN 50443-1-1988
Кремний для изготовления полупроводников. Определение дефектов и неоднородности кристаллов с помощью рентгенотопографииTesting of materials for use in semiconductor technology; detection of crystal defects and inhomogeneities in silicon single crystals by X-ray topography
Количество страниц: 10 Статус:
DIN 50443-2-1994
Полупроводники сложные Ш-V. Определение дефектов и неоднородности монокристаллов с помощью рентгенографииTesting of materials for semiconductor technology; recognition of defects and inhomogeneities in semiconductor single crystals by X-ray topography; III-V-semiconductor compounds
Количество страниц: 7 Статус:
DIN 50445-1992
Пластины полупроводниковые гомогенные, легированные примесью. Бесконтактный метод определения удельного электрического сопротивления с помощью вихревых токовTesting of materials for semiconductor technology; contactless determination of the electrical resistivity of semiconductor slices with the eddy current method; homogeneously doped semiconductor wafers
Количество страниц: 4 Статус:
DIN 50447-1995
Материалы для полупроводниковой технологии. Бесконтактное измерение электрического поверхностного сопротивления полупроводниковых слоев методом вихревых токовTesting of materials for semiconductor technology - Contactless determination of the electrical sheet resistance of semiconductor layers with the eddy-current method
Количество страниц: 2 Статус:
DIN 50448-1998
Материалы для полупроводниковой технологии. Бесконтактное измерение удельного электрического сопротивления полуизолированных полупроводниковых дисков с емкостным зондомTesting of materials for semiconductor technology - Contactless determination of the electrical resistivity of semi-insulation semiconductor slices using a capacitive probe
Количество страниц: 3 Статус:
DIN 50449-1-1997
Материалы полупроводниковые. Определение содержания примесей методом абсорбции инфракрасного излучения. Часть 1. Углерод в арсениде галлияTesting of materials for semiconductor technology - Determination of impurity content in semiconductors by infrared absorption - Part 1: Carbon in gallium arsenide
Количество страниц: 6 Статус:
DIN 50449-2-1998
Материалы полупроводниковые. Определение содержания примесей методом абсорбции инфракрасного излучения. Часть 2. Бор в арсениде галлияTesting of materials for semiconductor technology - Determination of impurity content in semiconductors by infrared absorption - Part 2: Boron in gallium arsenide
Количество страниц: 4 Статус:
DIN 50450-1-1987
Испытание материалов, применяемых в технологии изготовления полупроводников. Определение содержания примесей в газах-носителях и легирующих газах. Определение содержания воды в водороде, кислороде, азоте, аргоне и гелие при помощи ячейки с пентаоксидом фосфораTesting of materials for semiconductor technology; determination of impurities in carrier gases and doping gases; determination of water impurity in hydrogen, oxygen, nitrogen, argon and helium by using a diphosphorus pentoxide cell
Количество страниц: 2 Статус:
DIN 50450-2-1991
Испытание материалов, применяемых в технологии изготовления полупроводников. Определение содержания примесей в газах-носителях и легирующих газах. Определение содержания кислорода в азоте, аргоне, гелие, неоне и водороде при помощи гальванического элементаTesting of materials for semiconductor technology; determination of impurities in carrier gases and doping gases; determination of oxygen impurity in N<(Index)2>, Ar, He, Ne and H<(Index)2> by using a galvanic cell
Количество страниц: 2 Статус:
DIN 50450-3-1991
Испытание материалов, применяемых в технологии изготовления полупроводников. Определение содержания примесей в газах-носителях и легирующих газах. Определение содержания метана в водороде, кислороде, азоте, аргоне и гелие при помощи пламенно-ионизационного детектораTesting of materials for semiconductor technology; determination of impurities in carrier gases and doping gases; determination of methane impurity in H<(Index)2>, O<(Index)2>, N<(Index)2>, Ar and He by using a flame ionization detector (FID)
Количество страниц: 2 Статус:
DIN 50450-4-1993
Испытание материалов, применяемых в технологии изготовления полупроводников. Определение содержания примесей в газах-носителях и легирующих газах. Определение содержания углеводородов С1-С3 в азоте с помощью газовой хроматографииTesting of materials for semiconductor technology; determination of impurities in carrier gases and dopant gases; determination of C<(Index)1>-C<(Index)3>-hydrocarbons in nitrogen by gas-chromatography
Количество страниц: 2 Статус:
DIN 50450-5-1994
Газы-носители и газы примесные, используемые при изготовлении полупроводников. Определение содержания воды в хлороводороде с помощью фосфорпентоксидной ячейкиTesting of materials for semiconductor technology; determination of impurities in carrier gases and dopant gases; determination of water traces in gaseous hydrogen chloride by a diphosphorus pentoxide cell
Количество страниц: 2 Статус:
DIN 50450-6-1994
Газы-носители и газы примесные, используемые при изготовлении полупроводников. Определение содержания СО и СО2 в азоте с помощью газовой хроматографии и ионизационного детектораTesting of materials for semiconductor technology; determination of impurities in carrier gases and doping gases; determination of CO and CO<(Index)2> in nitrogen by gaschromatographie
Количество страниц: 2 Статус:
DIN 50450-7-1995
Газы-носители и газы примесные, используемые при изготовлении полупроводников. Определение содержания СО и Н2 в азоте с помощью газовой хроматографииTesting of materials for semiconductor technology - Determination of impurities in carrier gases and dopant gases - Part 7: Determination of CO and H<(Index)2> in nitrogen by gaschromatography and reduction gasdetector
Количество страниц: 2 Статус:
DIN 50450-8-2000
Испытание материалов, применяемых в технологии изготовления полупроводников. Определение примесей в газах-носителях примесных газах. Часть 8. Определение концентрации числа частиц в потоке азота, использующие лазерный счетчик частицTesting of materials for semiconductor technology - Determination of impurities in carrier gases and dopant gases - Part 8: Determination of the concentration of the particle number in flowing nitrogen using laser particle counter
Количество страниц: 5 Статус:
DIN 50450-9-2003
Испытание материалов, применяемых в технологии изготовления полупроводников. Определение содержания примесей в газах-носителях и легирующих газах. Часть 9. Определение содержания кислорода, азота, моноксида углерода, диоксида углерода и углеводородов С1 - С3 в газообразном гидрохлориде с помощью газовой хроматографииTesting of materials for semiconductor technology - Determination of impurities in carrier gases and dopant gases - Part 9: Determination of oxygen, nitrogen, carbonmonoxide, carbondioxide, hydrogen and C<(Index)1>-C<(Index)3>-hydrocarbons in gaseous hydrogen chloride by gaschromatography
Количество страниц: 5 Статус:
найдено документов: 131 страниц: 7
- ‹ предыдущая
- 1
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- следующая ›
- последняя »