Каталог DIN — национальные стандарты Германии
найдено документов: 7226 страниц: 362
DIN 50452-2-1991
Жидкости для полупроводниковой технологии. Метод гранулометрического анализа. Определение с применением оптического счетчикаTesting of materials for semiconductor technology; test method for particle analysis in liquids; determination of particles with optical particle counters
Количество страниц: 4 Статус:
DIN 50452-2-2009
Испытания материалов для полупроводниковой технологии. Метод гранулометрического анализа в жидкотях. Часть 2. Определение частиц с применением оптических счетчиковTesting of materials for semiconductor technology - Test method for particle analysis in liquids - Part 2: Determination of particles by optical particle counters
Количество страниц: 11 Статус:
DIN 50452-3-1995
Жидкости для полупроводниковой технологии. Метод гранулометрического анализа. Часть 3. Калибровка оптических счетчиков частицTesting of materials for semiconductor technology - Test method for particle analysis in liquids - Part 3: Calibration of optical particle counters
Количество страниц: 6 Статус:
DIN 50453-1-1990
Материалы для полупроводниковой технологии. Определение скорости травления травильных смесей. Монокристаллы кремния, гравиметрический методTesting of materials for semiconductor technology; determination of etch rates of etching mixtures; silicium monocrystals; gravimetric method
Количество страниц: 3 Статус:
DIN 50453-2-1990
Материалы для полупроводниковой технологии. Определение скорости травления травильных смесей. Покрытие из диоксида кремния, оптический методTesting of materials for semiconductor technology; determination of etch rates of etching mixtures; silicium-dioxid coating; optical method
Количество страниц: 2 Статус:
DIN 50453-3-2001
Материалы для полупроводниковой технологии. Определение скорости травления травильных смесей. Часть 3. Алюминий, гравиметрический методTesting of materials for semiconductor technology - Determination of etch rates of etching mixtures - Part 3: Aluminium, gravimetric method
Количество страниц: 4 Статус:
DIN 50454-1-1991
Монокристаллы арсенида галлия 3-5- сложных полупроводников. Определение дислокационной ямки травленияTesting of materials for semiconductor technology; determination of the dislocations etch pits density in monocrystals of III-V-compound semiconductors; galliumarsenide
Количество страниц: 4 Статус:
DIN 50454-1-2000
Монокристаллы Ш-V сложных полупроводников. Определение плотности дислокационных ямок травления. Часть 1. Арсенид галлияTesting of materials for semiconductor technology - Determination of dislocations in monocrystals of III-V-compound semi-conductors - Part 1: Gallium arsenide
Количество страниц: 9 Статус:
DIN 50454-2-1994
Монокристаллы Ш-V сложных полупроводников. Определение плотности дислокационных ямок травления. Часть 2. Фосфид индияTesting of materials for semiconductor technology - Determination of the dislocation etch pits density in monocrystals of III-V-compound semiconductors - Part 2: Indium phosphide
Количество страниц: 2 Статус:
DIN 50454-3-1994
Монокристаллы Ш-V сложных полупроводников. Определение плотности дислокационных ямок травления. Часть 3. Фосфид галлияTesting of materials for semiconductor technology - Determination of the dislocation etch pits density in monocrystals of III-V-compound semiconductors - Part 3: Gallium phosphide
Количество страниц: 2 Статус:
DIN 50455-1-1991
Материалы для полупроводниковой технологии. Методы определения характеристик фоторезистов. Определение толщины покрытия оптическими методамиTesting of materials for semiconductor technology; methods for characterizing photoresists; determination of coating thickness with optical methods
Количество страниц: 3 Статус:
DIN 50455-1-2009
Материалы для полупроводниковой технологии. Методы определения характеристик фоторезистов. Часть 1. Определение толщины покрытия оптическими методамиTesting of materials for semiconductor technology - Methods for characterizing photoresists - Part 1: Determination of coating thickness with optical methods
Количество страниц: 8 Статус:
DIN 50455-2-1999
Материалы для полупроводниковой технологии. Методы определения характеристик фоторезистов. Часть 2. Определение светочувствительности позитивных фоторезистовTesting of materials for semiconductor technology - Methods for the characterisation photoresists - Part 2: Determination of photosensitivity of positive photoresists
Количество страниц: 4 Статус:
DIN 50456-2-1995
Массы прессовочные на основе эпоксидной смолы для электронных компонентов. Определение содержания ионных загрязнений с помощью методов экстракции под давлениемTesting of materials for semiconductor technology - Method for the characterisation of moulding compounds for electronic components - Part 2: Determination of ionic impurities using pressure cooker test
Количество страниц: 2 Статус:
DIN 50456-3-1999
Материалы для полупроводниковой технологии. Методы определения характеристик формовочных масс для электронных компонентов. Часть 3. Определение катионных загрязненийTesting of materials for semiconductor technology - Method for the characterisation of moulding compounds for electronic components - Part 3: Determination of cationic impurities
Количество страниц: 2 Статус:
DIN 50457-1-1999
Материалы для полупроводниковой технологии. Определение содержания компонентов в легированных газовых смесях с помощью мокрохимических методов. Часть 1. Диборан в водородно-диборановых смесяхTesting of materials for semiconductor technology - Determination of the volume fraction of components in dopant gas mixtures by wet-chemical methods - Part 1: Diborane in hydrogen diborane mixtures
Количество страниц: 3 Статус:
DIN 50457-2-1999
Материалы для полупроводниковой технологии. Определение содержания компонентов в легированных газовых смесях с помощью мокрохимических методов. Часть 2. Фосфин в азотно-фосфиновых смесяхTesting of materials for semiconductor technology - Determination of the volume fraction of components in dopant gas mixtures by wet-chemical methods - Part 2: Phosphine in nitrogen phosphine mixtures
Количество страниц: 3 Статус:
найдено документов: 7226 страниц: 362