панель навигации
  • 首页
  • 联系我们
  • Рус
FSBI «RST»


Version for visually impaired
панель навигации
首页
  • 首页

    • 历史
    • 领导
    • 联系我们
任务
  • 主要任务是

    • 标准化文件的官方出版、签发和分发
    • 邦信息基金技术法规还有标准的管理
    • 维修技术法规的统一信息系统
    • 开发,维护和使用全俄的技术,经济和社会信息分类
    • 与国际,区域和国家标准化组织的合作
服务
  • 技术法规,标准和认证

    • 提供标准化文件
    • 标准术语检查
信息产品
  • 信息产品

    • 俄罗斯国家技术法规
    • 国家标准化体系文件
    • CD-ROM上的书目数据库
联系我们
    1. 首页
    2. 目录标准,全俄罗斯分类,术语词典

    Каталог AFNOR — национальные стандарты Франции

    我要找:

    найдено документов: 72612 страниц: 3631

    UTE C96-030/A1-1989

    Микросхемы. Схема и процедура согласования программ испытаний, связанных с частными техническими условиями на интегральные схемы. Изменение 1
    Microcircuits. Approval structure of the testing plans associated with particular specifications for integrated circuits VLSI and relevant procedure. Amendment 1
    Количество страниц: 2 Статус:  

    UTE C96-041-1989

    Схемы интегральные для полупроводниковых приборов. Часть 1. Общие положения
    SEMICONDUCTOR DEVICES. INTEGRATED CIRCUITS. PART 1 : GENERAL.
    Количество страниц: 36 Статус:  

    UTE C96-041/A1-1991


    SEMICONDUCTOR DEVICES. INTEGRATED CIRCUITS. PART 1 : GENERAL. AMENDMENT 1
    Количество страниц: 18 Статус:  

    UTE C96-042-1989

    Приборы полупроводниковые. Интегральные схемы. Часть 2. Цифровые интегральные схемы
    SEMICONDUCTOR DEVICES. INTEGRATED CIRCUITS. PART 2 : DIGITAL INTEGRATED CIRCUITS.
    Количество страниц: 144 Статус:  

    UTE C96-043-1989

    Приборы полупроводниковые. Интегральные схемы. Часть 3. Аналоговые интегральные схемы
    SEMICONDUCTOR DEVICES. INTEGRATED CIRCUITS. PART 3 : ANALOGUE INTEGRATED CIRCUITS.
    Количество страниц: 130 Статус:  

    UTE C96-044-1989

    Приборы полупроводниковые. Интегральные схемы. Часть 4. Интерфейсные интегральные схемы
    SEMICONDUCTOR DEVICES. INTEGRATED CIRCUITS. PART 4 : INTERFACE INTEGRATED CIRCUITS.
    Количество страниц: 61 Статус:  

    UTE C96-065-1989

    Электронные компоненты. Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы. Часть 3. Сигнальные диоды (включая переключающие диоды) и диоды-регуляторы. Раздел 1. Типовая форма частных технических условий для сигнальных диодов, переключающих и лавинных управляемых диодов
    Electronic components. Semiconductor devices. Discrete devices. Part 3 : signal (including switching) and regulator diodes. Section one : blank detail specification for signal diodes, switching diodes and controlled-avalanche diodes.
    Количество страниц: 11 Статус:  

    UTE C96-066-1989

    Электронные компоненты. Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы. Часть 3. Сигнальные диоды (включая переключающие диоды) и диоды-регуляторы. Раздел 2. Типовая форма частных технических условий для стабилитронов и опорных диодов, кроме прецизионных опорных диодов с температурной компенсацией
    Electronic components. Semiconductor devices. Discrete devices. Part 3 : signal (including switching) and regulator diodes. Section two : blank detail specification for voltage-regulator diodes and voltage-reference diodes, excluding temperature-compensated precision reference diodes.
    Количество страниц: 12 Статус:  

    UTE C96-080-1989

    Электронные компоненты. Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы. Часть 6. Тиристоры. Раздел 1. Типовая форма частных технических условий для тиристорных триодов с реверсным блокированием для температуры окружающей среды и корпуса, расчитанных на ток до 100 А
    Electronic components. Semiconductor devices. Discrete devices. Part 6 : thyristors. Section one : blank detail specification for reverse blocking triode thyristors, ambient and case-rated, up to 100 A.
    Количество страниц: 12 Статус:  

    UTE C96-085-1989

    Электронные компоненты. Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы. Часть 7. Биполярные транзисторы. Раздел 1. Типовая форма частных технических условий на биполярные транзисторы для низкочастотного и высокочастотного усиления, рассчитанные на температуру окружающей среды
    Electronic components. Semiconductor devices. Discrete devices. Part 7 : bipolar transistors. Section one : blank detail specification for ambient-rated bipolar transistors for low and high-frequency amplification.
    Количество страниц: 15 Статус:  

    UTE C96-086-1989

    Электронные компоненты. Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы. Часть 7. Биполярные транзисторы. Раздел 2. Типовая форма частных технических условий для биполярных транзисторов при температуре корпуса, установленной для низкочастотного усиления
    Electronic components. Semiconductor devices. Part 7 : bipolar transistors. Section two : blank detail specificaton for case-rated bipolar transistors for low frequency amplification.
    Количество страниц: 13 Статус:  

    UTE C96-090-1989

    Электронные компоненты. Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы. Часть 8. Типовая форма частных технических условий для полевых транзисторов с одним затвором мощностью до 5 Вт и частотой 1 Гц
    Electronic components. Semiconductor devices. Discrete devices. Part 8 : field-effect transistors. Section one : blank detail specification for single- gate field-effect transistors, up to 5W and 1 GHz.
    Количество страниц: 16 Статус:  

    UTE C96-100-1992


    ELECTRONIC COMPONENTS. MECHANICAL STANDARDIZATION OF SEMICONDUCTOR DEVICES. PART 6 : GENERAL RULES FOR THE PREPARATION OF OUTLINE DRAWINGS OF SURFACE MOUNTED SEMICONDUCTOR DEVICES PACKAGES.
    Количество страниц: Статус:  

    UTE C96-110-1976

    Усилители напряжения операционные для аналоговых микросхем
    MICROCIRCUITS. ANALOG MICROCIRCUITS. VOLTAGE AMPLIFIERS.
    Количество страниц: 47 Статус:  

    UTE C96-111-1973


    MICROCIRCUITS. ANALOG MICROCIRCUITS. GENERAL ARTICLE SHEETS.
    Количество страниц: 85 Статус:  

    UTE C96-111-1976

    Микросхемы аналоговые.Усилители напряжения операционные. Особые технические требования
    Microcircuits. Analog microcircuits. Voltage amplifiers.
    Количество страниц: 266 Статус:  

    UTE C 96-111 1-1974


    MICROCIRCUITS. ANALOG MICROCIRCUITS. GENERAL ARTICLE SHEETS.
    Количество страниц: 56 Статус:  

    UTE C96-111/A1-1978


    MICROCIRCUITS. ANALOG MICROCIRCUITS. VOLTAGE AMPLIFIERS. AMENDMENT 1
    Количество страниц: 11 Статус:  

    UTE C96-111/A2-1979


    MICROCIRCUITS. ANALOG MICROCIRCUITS. VOLTAGE AMPLIFIERS. AMENDMENT 2
    Количество страниц: 11 Статус:  

    UTE C96-111/A3-1981


    MICROCIRCUITS. ANALOG MICROCIRCUITS. VOLTAGE AMPLIFIERS. AMENDMENT 3
    Количество страниц: 2 Статус:  

    найдено документов: 72612 страниц: 3631


    • « Первая
    • ‹ предыдущая
    • ...
    • 3501
    • 3502
    • 3503
    • 3504
    • 3505
    • 3506
    • 3507
    • 3508
    • 3509
    • 3510
    • 3511
    • 3512
    • 3513
    • 3514
    • 3515
    • 3516
    • 3517
    • 3518
    • 3519
    • 3520
    • ...
    • следующая ›
    • последняя »
    • 目录标准,全俄罗斯分类,术语词典
      • 目录“标准”
      • P,PR,PD-标准化规则,标准化领域规范和建议
      • 俄罗斯分类
      • CD-ROM 上P,PR,RD的 全文数据库
      • 词汇表
    нижний колонтитул
    Росстандарт
    • vk

     

    support-web@gostinfo.ru     © FSBI Russian Standardization Institute, 2025